O problema de estabilidade do inversor de transistor de película fina (TFT) é um desafio importante que afeta sua aplicação prática em campos como a tecnologia de sistemas sobre vidro (SOG). Este artigo extraiu, com base em dados experimentais, um modelo de simulação do dispositivo TFT de óxido de índio-gálio-zinco amorfo, ajustando e obtendo a equação do expoente estirado da variação da tensão limiar (ΔV_TH) em função do tempo de polarização de tensão. Com base nisso, investigou-se a variação da estabilidade elétrica do inversor pseudo-CMOS tradicional com o tempo de polarização e propôs-se um circuito inversor TFT melhorado, ajustando a largura do transistor e projetando o layout físico. O inversor melhorado aumenta o nível de saída alto próximo à tensão de alimentação em 18,47% ao retardar a ativação do transistor pull-down do estágio de saída. Por meio de realimentação para mitigar o impacto do aumento da resistência equivalente causado pelo drift da tensão limiar na corrente do estágio de saída, a estabilidade da velocidade foi significativamente melhorada. No tempo de polarização de tensão de 2,56×10^7 s, a taxa de variação do tempo de subida foi de apenas 4,09%, muito menor do que os 296,11% do inversor pseudo-CMOS tradicional.

inversor;transistor de película fina;estabilidade;óxido de índio-gálio-zinco amorfo;sistema sobre vidro