Dispositivos de sinapse artificial fotônica (PAS) integrando a função de reconhecimento e aprendizado de memória da luz polarizada circularmente (CPL) têm grande valor para sistemas visuais neuromórficos avançados. Neste artigo, dispositivos de transistor sináptico CPL na faixa de luz visível foram preparados por meio de uma estratégia simples de mistura e design de estrutura multicamada do dispositivo. Os experimentos mostraram que filmes preparados pela mistura de pequenas moléculas quirais (4-[[4-(hexioksi)benzoyloxy]-1,1'-[1,1'-binaptil]-2,2'-diéster]) ácido benzóico (S6N) ou (R)-(9CI)-4-(hexioksi)-[1,1'-binaptil]-2,2'-di(carbonila-4,1-fenilo) ácido benzóico (R6N) com polímero (9,9-dioctilfluoreno-2,7-dileno) (PFO) exibem forte atividade óptica quiral após indução quiral e recozimento. Utilizando este filme misturado como camada quiral, e o polímero conjugado aceitador-doador baseado em benzotiofeno-azaisoindigo-benzo[b,d]furanodiona (C13P3.75) como camada de transporte de carga, o transistor fotoelétrico de camada dupla preparado é capaz de simular vários comportamentos sinápticos biológicos sob irradiação CPL de 405 nm. Foi possível simular com sucesso a corrente pós-sináptica excitatória (EPSC), a facilitação por duplo pulso (PPF) e a transição da memória de curto prazo (STM) para a memória de longo prazo (LTM). Os resultados experimentais mostram que os dispositivos de transistor de efeito de campo orgânico (OFET) preparados possuem excelente capacidade de discriminação CPL, com fator de assimetria da corrente fotovoltaica CPL a 405 nm alcançando -0,492.

indução quiral; mistura; transistor de efeito de campo orgânico; luz polarizada circularmente; sinapse artificial fotônica