Produtos IGZO (InGaZnO) de tamanho extragrande apresentam defeitos de Exibição Anormal (Abnormal Display, AD) durante a avaliação de confiabilidade em alta temperatura e alta umidade (50 ℃/80%). A principal causa do defeito é o deslocamento positivo severo da curva característica de transferência do dispositivo chave M2 no circuito integrado de driver de porta (Gate Driver On Array, GOA) durante a avaliação. Este artigo, por meio de experimentos de pulso, simula o ambiente operacional real do dispositivo chave M2 do GOA, reproduzindo o fenômeno do deslocamento positivo severo da curva característica de transferência. Ao realizar diferentes experimentos de pulso, revelou-se que o principal fator causador do defeito é: quando o dispositivo M2 está desligado, a diferença de potencial V_DS entre o dreno e a fonte é muito grande, fazendo com que as vacâncias de oxigênio V_O^+ na camada IGZO migrem sob a ação do campo elétrico para a borda entre IGZO e GI (isolante de porta) e para a extremidade da fonte. Devido à captura de elétrons pelas vacâncias de oxigênio V_O^+, ocorre um deslocamento positivo na curva característica de transferência, e descobriu-se que as vacâncias de oxigênio migradas V_O^+ podem ser restauradas após o aquecimento. Além disso, sem alterar as condições de deposição do IGZO, ao reduzir a diferença de potencial V_DS quando o dispositivo M2 está desligado, foram introduzidos produtos IGZO de tamanho extragrande, nos quais não ocorreram defeitos AD durante 2000 horas de avaliação de confiabilidade em alta temperatura e umidade.

transistor de filme fino InGaZnO; circuito integrado de driver de porta; exibição anormal; deriva da tensão de limiar