Os transistores de filme fino baseados em semicondutores de óxido metálico (MOS TFT), devido à sua alta mobilidade do efeito campo (μ_FE), corrente de fuga extremamente baixa no estado desligado e uniformidade elétrica em grandes áreas, tornaram-se uma tecnologia fundamental para impulsionar o desenvolvimento da indústria de displays planos ou flexíveis. Após mais de 30 anos de pesquisa, o óxido amorfo de índio-gálio-zinco (a-IGZO) foi o primeiro a substituir o silício amorfo (a-Si) nos TFTs. No entanto, para atender simultaneamente aos requisitos da indústria de displays para maior eficiência de produção, melhor desempenho de exibição (como alta resolução, alta taxa de atualização, etc.) e menor consumo de energia, é necessária uma tecnologia MOS TFTs com mobilidade mais elevada. Este artigo revisa sistematicamente, sob a perspectiva da física do estado sólido, os avanços na pesquisa das características de alta mobilidade dos MOS TFTs por meio de materiais MOS múltiplos, e discute a relação entre mobilidade e estabilidade do dispositivo. Finalmente, resume o estado atual e as tendências de desenvolvimento dos MOS TFTs.

semicondutor de óxido metálico;transistor de filme fino;mobilidade do efeito campo;estabilidade de polarização