Para melhorar o desempenho do transistor de filme fino, este artigo baseia-se na tecnologia de pulverização por magnetron de rádio frequência, utilizando o material óxido de zinco e estanho (ZTO) como camada de canal, para preparar transistores de filme fino ZTO de alto desempenho sobre substrato SiO₂/p-Si. O efeito da potência de pulverização sobre a morfologia da superfície e as propriedades ópticas dos filmes ZTO foi estudado por AFM, XRD e UV-Vis. O desempenho elétrico dos transistores de filme fino ZTO foi testado usando um analisador de parâmetros semicondutores, e a análise XPS foi utilizada para estudar o efeito da potência de pulverização na composição elemental e nos estados de valência dos filmes ZTO, explorando o mecanismo dos transistores de filme fino de alto desempenho. Os resultados experimentais mostram que todas as amostras de filmes ZTO possuem estrutura amorfa, superfície densa e transmitância óptica superior a 90%. O aumento adequado da potência de pulverização pode melhorar o desempenho elétrico dos transistores de filme fino ZTO. Os transistores fabricados com potência de pulverização de 90 W apresentaram desempenho geral satisfatório, com mobilidade de saturação de 15,61 cm²/(V·s), swing sub-limiar de 0,30 V/década, tensão de limiar de -5,06 V e relação de comutação de corrente de 8,92×10⁹.

transistor de filme fino; potência de pulverização; análise XPS; filme ZTO