O nitreto de gálio, como material para dispositivos de iluminação de terceira geração, apresenta uma melhoria significativa no desempenho em comparação com a primeira geração baseada em silício e a segunda geração baseada em arseneto de gálio. Dispositivos Micro-LED baseados em nitreto de gálio também têm atraído cada vez mais atenção. No entanto, LEDs cultivados na superfície tradicional c apresentam algumas falhas inerentes que frequentemente resultam em baixa eficiência de emissão em aplicações práticas, como efeito Stark limitado quântico, lacuna verde, transporte de portadores, entre outros problemas. LEDs não polares ou semi-polares não possuem campo elétrico de polarização, apresentam alta eficiência quântica interna e alta probabilidade de recombinação entre elétrons e lacunas, o que tem despertado grande interesse na pesquisa e aplicação de dispositivos Micro-LED não polares e semi-polares. Este artigo revisa o estado atual da pesquisa em dispositivos Micro-LED não polares e semi-polares. Primeiramente, apresenta as vantagens dos materiais baseados em nitreto de gálio não polar e semi-polar sob quatro aspectos: efeito Stark limitado quântico, lacuna verde, transporte de portadores e redução da eficiência. Em seguida, aborda questões como discordâncias defeituosas, aumento da eficiência de extração de luz e realização de telas em cores completas sob diferentes densidades de corrente, por meio de três técnicas: conformação de chips, gravação de padrões e matrizes. Por fim, apresenta uma perspectiva do Micro-LED como líder da próxima geração de displays. Espera-se que isso seja útil para futuras pesquisas sobre Micro-LED.

nitreto de gálio;Micro-LED;não polar;semi-polar