Com o desenvolvimento contínuo da tecnologia de exibição, a demanda por transistores de filme fino (Thin Film Transistor, TFT) de alto desempenho e alta estabilidade tem aumentado. Os métodos de melhoria do desempenho dos transistores de filme fino por cristalização têm recebido muita atenção. Atualmente, os materiais de óxido de índio, gálio e zinco (IGZO) são amplamente utilizados nos canais dos transistores de filme fino devido à sua alta mobilidade, boa flexibilidade e alta transparência. A melhoria da morfologia cristalina da camada do canal IGZO também se tornou um foco de pesquisa. Este artigo resume os avanços na pesquisa de dispositivos de transistores de filme fino cristalinos de IGZO, descreve detalhadamente a estrutura cristalina dos compostos IGZO, enfatizando monocristalinos, cristalização orientada ao eixo c, polimorfismo hexagonal, tipo espinela, tipo nanocristalino e tipo de cristalização nativa de IGZO, bem como os métodos de preparação, desempenho dos dispositivos e estabilidade de cada tipo de transistor de filme fino IGZO cristalino. Analisa profundamente sua microestrutura, resume as propriedades físicas, explica os mecanismos de cristalização das diferentes estruturas cristalinas, estabelece a relação entre estrutura cristalina e propriedades elétricas e, finalmente, apresenta uma perspectiva sobre o desenvolvimento dos transistores de filme fino cristalinos IGZO.

IGZO cristalino; transistores de filme fino; estrutura cristalina; avanços na pesquisa