No processo de gravação do gate do transistor de filme fino (Thin film transistor, TFT), a área de exibição (área AA) e a área de saída (área Fanout) apresentam efeitos de carga de gravação devido à diferença na densidade de fiação, resultando em grande diferença no grau de gravação e dificuldade na determinação do tempo de gravação. Suprimir o efeito de carga de gravação no processo de gravação do gate tem um significado positivo para garantir a qualidade. Este artigo analisa o processo microscópico da gravação úmida e propõe um esquema para aumentar o fluxo de pulverização do líquido de gravação para suprimir o efeito de carga. O esquema de aumento do fluxo de pulverização é convertido em ajuste da proporção do tempo de gravação em três câmaras de gravação (Etch1~Etch3). Mantendo o tempo total de gravação constante, são realizadas validações com diferentes proporções de tempo nas três câmaras, e uma análise de cluster dos resultados da gravação é realizada. Por fim, é selecionada a proporção de tempo ótima para suprimir o efeito de carga, e os resultados são analisados em combinação com redes neurais. Os resultados experimentais mostram que a redução da proporção do tempo do Etch3 e o aumento da proporção do tempo do Etch2 podem suprimir o efeito de carga de gravação. A proporção do tempo de Etch1~Etch3 foi ajustada de 33,33%∶33,33%∶33,33% para 10%∶80%∶10%, e a diferença no grau de gravação entre a área AA e a área fanout diminuiu de 0,575 μm para 0,317 μm. Ajustando a proporção do tempo nas três zonas de gravação, é possível suprimir o efeito de carga de gravação, aliviar as diferenças no grau de gravação entre diferentes zonas e atender às exigências da produção em massa de TFT.

gate;gravação úmida;efeito de carga;análise de cluster;rede neural