Para se adaptar ao desenvolvimento cada vez maior da nova geração de tecnologias eletrônicas, o desenvolvimento de vários tipos de novas memórias torna-se cada vez mais importante. Em comparação com as memórias tradicionais, a nova geração de memórias não só requer características de memória de maior desempenho, mas também precisa atender às necessidades específicas de aplicações como flexibilidade, transparência ou funções neuromórficas. Este artigo utiliza o material semicondutor orgânico C8-BTBT como camada semicondutora, e a mistura de pontos quânticos PVP como porta flutuante, propondo uma memória orgânica transparente (transparência ≥83%). O dispositivo possui uma janela de armazenamento acima de 40 V, uma relação corrente de escrita/apagamento maior que 10³, e ainda consegue distinguir com estabilidade os estados de comutação após 10⁴ segundos. Este trabalho oferece uma nova solução para dispositivos flexíveis transparentes e antecipa seu potencial no campo da eletrônica orgânica transparente da próxima geração.

transistor de filme fino orgânico; memória; dispositivo transparente; pontos quânticos; porta flutuante