Com os contínuos avanços nos processos de fabricação de diodos emissores de luz (LEDs) de nitreto de gálio (GaN) em escala micro, o display Micro-LED promete ser a nova geração de tecnologia de exibição, destacando-se em áreas como exibição próxima ao olho, dispositivos de exibição em grande escala de alta definição e telas flexíveis. Entre as diversas etapas técnicas da exibição Micro-LED, a inspeção de chips Micro-LED no nível de wafer é uma etapa chave para interceptar pixels defeituosos, aumentar a taxa de produtos bons do display e reduzir o custo de fabricação do dispositivo completo. Para matrizes de chips Micro-LED no nível de wafer com grande quantidade (da ordem dos milhões) e tamanho pequeno (<50 μm), os métodos atuais de inspeção elétrica apresentam desvantagens como baixa eficiência e alto custo. Portanto, melhorar a eficiência da inspeção, aprimorar a precisão e reduzir custos são tendências de desenvolvimento da tecnologia de inspeção Micro-LED no nível de wafer. Este artigo apresenta primeiramente os indicadores necessários para a inspeção dos chips Micro-LED no nível de wafer, em seguida detalha e analisa os métodos de inspeção existentes ou propostos e, finalmente, resume a tecnologia de inspeção de chips Micro-LED no nível de wafer e vislumbra as direções futuras de desenvolvimento tecnológico.

Micro-LED;detecção de defeitos;inspeção por contato;inspeção sem contato