Fabricação de chip Micro-LED baseado em nitreto de gálio de alta resolução com condução ativa

HUANG Ming-shui ,  

NIE Jun-yang ,  

LIU Ming-yang ,  

LI Yang ,  

PAN Kui ,  

DENG Li-ying ,  

YANG Tian-xi ,  

HUANG Zhong-hang ,  

SUN Jie ,  

YAN Qun ,  

GUO Tai-liang ,  

摘要

Este artigo projeta e fabrica um chip Micro-LED baseado em nitreto de gálio com resolução de 1920×1080. Utiliza-se um método de gravação ICP (Plasma Indutivamente Acoplado) único para o padronização da camada de extensão de corrente e a gravação da mesa, alcançando autoalinhamento entre a camada de extensão de corrente e a mesa. Ao mesmo tempo, durante o processo de fabricação, é usado HMDS (Hexametildissiloxano) para melhorar a aderência do fotorresiste, aumentando fundamentalmente a consistência e integridade da gravação de mesas pequenas. Além disso, através da elevação do eletrodo do tipo N, resolve-se o problema da diferença de altura entre o eletrodo do tipo P e do tipo N nos chips flip tradicionais, facilitando a ligação entre o chip de exibição e o chip driver. O tamanho do chip é 17,78 mm (0,7 pol), o tamanho da unidade emissora é 6 μm, o período do pixel é 8 μm e a densidade de pixels alcança 3129 PPI. Os dados do teste I-V indicam que a tensão de acionamento do Micro-LED fabricado é apenas 3,5 V.

关键词

Micro-LED;alta resolução;chip flip;gravação

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