Este artigo apresenta a preparação do dispositivo transistor de filme fino (TFT) em substrato de álcool polivinílico (PVA), análise das propriedades elétricas e demonstração das características de dissolução do dispositivo. O dispositivo utiliza óxido de háfnio (HfO₂) como camada isolante com alta constante dielétrica, óxido de zinco dopado com alumínio (AZO) como camada ativa e alumínio como porta, fonte e dreno. Um transistor de filme fino com camada isolante de alta constante dielétrica (alto k) foi fabricado com sucesso em substrato PVA por magnetron sputtering de baixa temperatura (PVD), e a estrutura da camada isolante foi otimizada: uma estrutura em camadas de óxido de háfnio (HfO₂) e óxido de alumínio (Al₂O₃) foi utilizada como camada isolante. Os resultados mostram que, em comparação com uma estrutura de camada única de óxido de háfnio, o dispositivo TFT com camada isolante em estrutura em camadas apresenta melhor desempenho, com menor corrente de fuga, maior relação de comutação e menor subthreshold slope, sendo mais adequado como camada isolante para transistores de filme fino em substrato PVA. A relação ligar/desligar do dispositivo com a camada isolante em estrutura "sanduíche" alcança 2,5×10⁶, a tensão limiar é de 10,6 V, o subthreshold slope é de 0,53 V·dec^-1 e a mobilidade de portadores é de 3,01 cm²·V^-1·s^-1.

transistor de filme fino;eletrônica transitória;álcool polivinílico (PVA);solúvel;estrutura de camada isolante em camadas