No processo de fabricação do eletrodo comum do transistor de filme fino (Thin film transistor, TFT), algumas amostras de TFT apresentaram corrente de fuga (I_off) anormalmente elevada. Essas amostras passaram pelo mesmo equipamento de remoção de fotopolímero, levando à suspensão do equipamento e causando perda de capacidade. Identificar e resolver a causa do aumento da corrente de fuga causada por esse equipamento de remoção é importante para garantir a capacidade de produção e a qualidade. Inicialmente, foram coletadas as soluções de remoção do equipamento anormal e do equipamento normal e realizadas análises de composição, constatando-se que a solução do equipamento anormal apresentava alto teor de íons de Al. Em seguida, verificou-se que o I_off do TFT aumenta com o aumento do número de lotes processados no equipamento anormal. A causa é que os íons de Al geram partículas de Al_2O_3 no processo de remoção, que se aderem à camada de passivação do dispositivo TFT, formando um efeito de porta parasita, o que resulta no aumento do I_off. Por fim, foram implementadas soluções baseadas no TRIZ e selecionadas soluções otimizadas para verificação de melhorias. Os resultados experimentais mostram que, quando a concentração de íons Al na solução de remoção aumentou de 1×10^-8 para 2,189×10^-6, o I_off subiu de 3,56 pA para 7,56 pA. Quando a solução continha íons Al e o número de remoções aumentava, o I_off apresentava uma tendência de aumento. O aumento da potência do tratamento a plasma antes da formação da camada de passivação e o aumento da espessura da camada de passivação podem suprimir o aumento do I_off. Portanto, pode-se determinar que a causa do aumento do I_off pelo equipamento de remoção é o efeito de porta parasita formado pelos íons de Al na solução de remoção, e que o fortalecimento do tratamento antes da formação da camada e o aumento da espessura podem suprimir esse efeito.

Transistor de filme fino; remoção de fotopolímero; íons de Al; efeito de porta parasita; teoria da solução de problemas inventivos