Para melhorar efetivamente o desempenho elétrico dos transistores de filme fino flexíveis, foi utilizada em condições de temperatura ambiente uma estrutura em camadas combinando dois materiais de alta constante dielétrica sobre um substrato de poliamida (PI), substituindo uma camada única de Ta2O5 como dielétrico de gate, usando HfO2 e Ta2O5. Os filmes foram preparados por sputtering com magnetron, e foi estudada a influência da camada Ta2O5 na estrutura dielétrica em camadas no desempenho elétrico do dispositivo sob diferentes durações de sputtering e razões oxigênio-argônio. Foi realizada uma comparação entre dispositivos com dielétrico de gate em camadas HfO2/Ta2O5 e dispositivos com dielétrico de gate único Ta2O5. Os resultados mostram que a camada dielétrica Ta2O5 com duração de sputtering de 1 hora e razão oxigênio-argônio de 10∶90 apresentou o melhor desempenho elétrico. A introdução da estrutura dielétrica em camadas melhorou significativamente o desempenho elétrico do dispositivo, com uma razão de comutação de corrente de 1,27×10^6, tensão limiar de 9,1 V, swing subthreshold de 0,54 V/década e mobilidade de portadores de 7,03 cm²/(V·s).

PI;dielétrico de gate em camadas;método de sputtering por magnetron;tempo de sputtering;relação oxigênio-argônio