Sensor de dióxido de nitrogênio de alta sensibilidade baseado em transistor orgânico de polímero conjugado de três componentes

WANG Guan-long ,  

WANG Xiao-hong ,  

QIU Long-zhen ,  

摘要

Foram estudadas as propriedades de sensoriamento a gás de filmes de polímeros conjugados de três componentes baseados em bis(2-oxo dihidro-7-nitrogênio indol-3-substituído) benzodifuranodiona (BTNIDNBIBDF-50). Controlando a concentração do semicondutor, regulou-se a morfologia da superfície do filme semicondutor para estudar seu efeito na sensibilidade ao gás dióxido de nitrogênio. Na concentração do polímero semicondutor BTNIDNBIBDF-50 de 2 mg/mL, apresentou-se o melhor desempenho de sensoriamento para o gás NO2, com sensibilidade ao gás NO2 a uma fração volumétrica de 10×10-6 de 121,44%. Os resultados experimentais mostram que o polímero conjugado de três componentes BTNIDNBIBDF-50 apresenta características de semicondutor bipolar, que a redução da concentração do polímero semicondutor provoca uma estrutura porosa evidente na superfície do filme, aumentando a sensibilidade do sensor ao gás NO2. Entretanto, o excesso de poros faz com que a taxa de dessorção do gás seja maior do que a taxa de adsorção, diminuindo a sensibilidade do sensor.

关键词

polímero conjugado de três componentes doador-aceptor; transistor de filme fino orgânico; sensor de gás; detecção de dióxido de nitrogênio; semicondutor bipolar

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