Para obter uma fonte de luz de silício com alta eficiência quântica, foi preparado um arranjo de cavidades circulares em escala micrométrica em uma pastilha de silício monocristalino usando um laser de pulso de nanossegundos, e o desempenho da amostra após o tratamento de recozimento em alta temperatura foi estudado. Os pontos quânticos formados dentro das cavidades apresentam um pico forte de fotoluminescência próximo ao comprimento de onda de 710 nm. A amostra foi submetida a recozimento em 1000 ℃, controlando o tempo de recozimento, e os espectros de fotoluminescência sob diferentes potências de excitação antes e depois do recozimento foram comparados, observando mudanças na radiação espontânea e estimulada. Além disso, após 20 minutos de recozimento, a intensidade da fotoluminescência foi medida em diferentes posições dentro da cavidade, descobrindo que a fotoluminescência é mais forte nas bordas, possivelmente relacionada à alta concentração de pontos quânticos emissores nas bordas. Finalmente, a eficiência quântica externa máxima de fotoluminescência (PL-EQE) dentro da cavidade foi medida usando um método padrão de calibração de LED. Os resultados mostram que a eficiência quântica externa dentro da cavidade pode alcançar 9,29% após o recozimento.

pontos quânticos de silício;fotoluminescência;recozimento em alta temperatura;eficiência quântica externa