TFT-LCD 주변 디스플레이 영역의 폴리아미드(PI) 배향막 두께 특성화 문제에 대해 비행 시간 이차 이온 질량 분석법(TOF-SIMS)을 기반으로 한 막 두께 분포 특성화 방법을 제안한다. 아르곤 클러스터 이온 빔(GCIB)을 사용하여 잉크젯 프린팅된 PI 박막의 다중 마이크로 영역을 스퍼터링하고, ITO 기판의 특성 이온 InO₂의 정규화 신호 강도가 50%에 도달하는 스퍼터링 시간을 막층 관통 기준으로 선택하여 박막 가장자리 17개 마이크로 영역의 막 두께 분포를 측정한다. 스텝미터를 사용하여 스퍼터링 웅덩이 깊이 및 원래 막 두께를 독립적으로 측정하고, 스퍼터링 시간과 막 두께 간의 통계적 연관 분석을 통해 본 방법이 밝힌 막 두께 분포 경향의 신뢰성을 검증한다. 본 방법을 서로 다른 4가지 예비 건조 공정으로 제조된 PI 박막 샘플에 적용하였다. TOF-SIMS 심도 분석 방법으로 얻은 막 스퍼터링 시간과 스텝미터 측정 원래 막 두께의 공간적 분포 경향이 매우 일치하며, 전체 스피어만 상관 계수는 0.571~0.963 이다. 예비 건조 전 1분간 정지한 A 및 C 샘플은 가장자리 영역에서 스퍼터링 시간이 각각 378초, 487초로 다른 마이크로 영역 평균 시간(약 180초)보다 훨씬 높았다. 반면 정지 시간이 없는 B 및 D 샘플은 전체 영역에서 스퍼터링 시간이 비교적 균일하였다(약 180초). 본 방법은 넓은 범위 내 다중 마이크로 영역 막 두께 분포 특성화를 위한 효과적인 분석 수단을 제공하며, 잉크젯 프린팅 PI 배향막 공정 최적화 및 협폭 베젤 패널 공정 개선을 위한 기술적 지원을 제공할 수 있다.

비행 시간 이차 이온 질량 분석법;심도 분석;폴리아미드;액정 배향막;막 두께 특성화;잉크젯 프린팅