최근 스마트폰의 슬림화 추세와 신뢰성 요구 수준이 높아짐에 따라 OLED(유기 발광 다이오드) 화면의 홀 영역에서 무지개 무늬 현상이 나타나는 비율이 다소 증가하고 있다. 본 논문에서는 OLED 화면 홀 영역에서 무지개 무늬 현상의 원인을 정성적·정량적으로 분석하였으며, 이를 바탕으로 결과를 상호 교차 검증할 수 있는 다차원 분석 시험 방법을 상대적으로 완비하였다. 박리를 통해 고온 고습 실험 조건에서 홀 영역에 무지개 무늬가 발생하는 영역과 위치를 분석하였고, 투과 전자 현미경(TEM), 비행 시간 이차 이온 질량 분석(TOF-SIMS), X선 광전자 분광법(XPS)을 이용하여 홀 영역에서 현상이 발생하는 원인을 체계적으로 분석하였다. 실험 결과, CVD1(화학 기상 증착 1) 내 SiON은 고온 고습 조건에서 점차 SiO막으로 전환되는 것으로 나타났다. TEM 및 TOF-SIMS 결과는 산화된 막의 질소 함량이 2% 미만임을 보여주었으며, XPS 피크 분해 결과는 CVD1-2 표면의 SiON이 거의 완전히 SiO막으로 전환되었음을 보여주었다. TFE 내 CVD1-1의 SiON막 굴절률을 1.72에서 1.76으로 향상시킴으로써 CVD1-1의 SiON막 산화 깊이가 70% 감소하였다. 본 분석 방법의 구축은 홀 영역 CVD막 산화 후 생성된 SiO가 무지개 무늬 현상의 원인임을 설명할 뿐만 아니라, 무지개 무늬 영역이 OLED 패널 홀 영역 신뢰성에 미치는 영향을 제시하였다. 이 방안은 자동차, IT(정보기술), 광고판 등 신뢰성 요구가 높은 분야에서 OLED 디스플레이의 향후 적용에 대한 대응 방안을 제공한다.

무지개 무늬 현상;OLED 펀치 홀 스크린;박막 봉지;질화 산화 실리콘;산화 실리콘