양자점 발광 다이오드(QLED)는 높은 색 순도, 높은 발광 효율, 우수한 안정성, 용액 가공, 전 색상 조절 및 기존 공정과의 우수한 호환성으로 인해 차세대 고해상도 저전력 디스플레이 장치의 강력한 후보로 여겨진다. 양자점 패터닝 구현은 디스플레이 응용의 전제 조건이며, 다양한 포토리소그래피 기술이 등장하였다. 현재 QLED 패터닝 기술은 복잡한 공정과 성능 손상이 큰 전통적인 포토리소그래피 및 잉크젯 인쇄 방식에서 고해상도 무손상 직접 포토리소그래피 방식으로 발전하고 있다. 본 논문은 양자점 직접 포토리소그래피 기술의 기본 원리를 개괄하고, 3가지 감광기 부위(아지드, 아조, 이황화 결합)의 교차결합 메커니즘, 포토리소그래피 성능 및 QLED 성능에 미치는 영향을 중점적으로 논의하였다. 또한 향후 양자점 직접 포토리소그래피 기술의 발전 방향과 QLED 디스플레이 발전 경향을 예측하여 향후 패터닝된 QLED 디스플레이 기술 발전에 참고가 된다.

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