본 논문은 순수 브롬 기반 청색 페로브스카이트 재료의 최근 연구 진전을 개괄하며, 주로 순수 브롬 기반 청색 페로브스카이트의 합성 방법과 연구 진전 내용을 다룬다. 여기에는 열 주입법과 리간드 보조 재침전법 등의 합성 방법과 리간드 공학, A 위치 양이온 공학, 준 2차원 구조 설계, B 위치 대체 공학 등의 전략을 통한 성능 최적화가 포함된다. 초소형 페로브스카이트 양자점은 리간드 공학을 통해 표면 결함을 둔화시키고 양자점 안정성을 향상시킨다. B 위치 대체 공학 전략은 밴드갭을 효과적으로 확장시켜 나노결정 격자 수축을 유도하고, 광발광 발광 피크의 청색편이, 높은 광발광 양자수율(PLQY), 좁은 대역폭 및 날카로운 엑시톤 흡수 전이를 촉진한다. 준 2차원 청색 페로브스카이트의 경우, 일반적으로 유기 간격 양이온과 첨가제를 선택하여 층 수를 조절하여 상을 더 순수하고 더 좁게 만들어 더 우수한 성능의 청색 장치를 얻는다. 일반적인 둔화제 외에도 폴리머, 예를 들어 폴리비닐리덴플루오라이드(PVDF)는 표면 결함을 효과적으로 둔화시키고 안정성을 강화할 수 있다. 이러한 최적화 전략은 청색 PeLED의 밝기, 색순도 및 효율성에서 상당한 진전을 이루었으며, 고성능 청색 발광 장치 실현을 위한 새로운 아이디어를 제공한다.

페로브스카이트;준 2차원;양자점;리간드 공학