액정은 광학 메모리 분야에서 저비용, 대면적, 고속 및 고밀도 저장 등의 장점을 가지고 있습니다. 현재 액정 광학 메모리 기술은 초기 과학적 탐구에서 상업화 가능성을 가진 첨단 기술로 발전했습니다. 본 논문은 이황화 몰리브덴(MoS₂) 나노시트를 편광상 액정에 도핑했을 때 광학 메모리 동작에 미치는 영향을 주로 연구하였습니다. 실험 결과, MoS₂ 나노시트는 액정 시스템 내에서 응집되지만 외부 전기장에 의해 MoS₂ 나노시트가 전기장 방향으로 배열되어 혼합 시스템이 외부 전기장에 더 빠르게 반응하게 됨을 보여줍니다. 이 과정은 문턱 전압이 약간 하락하는 결과를 초래하며, MoS₂ 나노시트가 도핑된 액정 혼합 시스템의 광학 메모리 동작 제어 가능한 갱신에 도움이 됩니다. 5V의 외부 전압 하에서 도핑 질량 분율 0.1%의 2μm 크기 MoS₂ 나노시트가 적용된 액정 혼합 시스템의 광학 메모리 갱신 시간이 94.0초로 단축되었습니다. 이상의 결과는 MoS₂ 나노시트 도핑이 액정 혼합 시스템의 광학 메모리 동작을 효과적으로 조절하는 중요한 방법 중 하나임을 나타냅니다.

광학 메모리 동작; 이황화 몰리브덴 나노시트; 액정