도전층과 배향층은 액정 장치에서 가장 일반적이고 중요한 박막 구조입니다. 두 박막은 기판과 액정 사이에 위치하며, 굴절률 불일치로 인해 박막의 투과율이 감소하여 액정 장치의 광 에너지 이용 효율이 떨어집니다. 이 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 도전층과 배향층을 기반으로 한 다층 저반사막 설계 방법을 제안하였으며, 도전층과 배향층을 박막 시스템의 일부로 사용하여 높은 투과율을 구현하였습니다. 먼저, 도전층과 배향층을 기반으로 한 다층 저반사막 물리 모델을 구축하였고; 그 후 이 모델을 바탕으로 이론적으로 적절한 박막 구조를 설계하여 높은 투과율을 달성하였습니다; 마지막으로 액정 인가 과정이 박막 투과율에 미치는 영향을 체계적으로 연구하였습니다. 결과에 따르면 설계된 저반사막은 500~800 nm 파장대에서 투과율이 99% 이상, 400~500 nm 파장대에서 96% 이상을 유지하였으며; 액정을 구동하면 박막 투과율이 감소하지만, 액정 혼합 굴절률을 설계 기반으로 사용하면 투과율 감소 폭을 0.35% 이내로 줄일 수 있습니다. 본 연구는 고에너지 이용 효율과 높은 안정성을 가진 액정 장치 구현에 도움이 될 것입니다.

도전층;배향층;저반사막