박막 트랜지스터(TFT) 인버터의 안정성 문제는 글라스 온 시스템(SOG) 디스플레이 기술 등 분야에서의 실질적 적용에 영향을 미치는 중요한 도전 과제입니다. 본 논문에서는 실험 데이터를 기반으로 비정질 인듐 갈륨 아연 산화물 TFT 소자의 시뮬레이션 모델을 추출하였고, 임계 전압 변화량(ΔV_TH)과 전압 바이어스 시간 간의 신장 지수 방정식을 피팅하여 얻었습니다. 이를 바탕으로 기존 의사 CMOS 인버터의 전기적 안정성 변화 규칙을 조사하고 개선된 TFT 인버터 회로를 제안하였으며, 트랜지스터 폭 조절 및 물리적 배치를 설계하였습니다. 개선된 인버터는 출력 단의 풀다운 트랜지스터 구동 지연을 통해 출력 고전압 값을 전원 전압에 근접시키며 18.47% 증가시켰습니다. 피드백을 통해 임계 전압 드리프트로 인한 등가 저항 증가가 출력 단 전류에 미치는 영향을 완화하여 속도 안정성을 크게 향상시켰습니다. 전압 바이어스 시간이 2.56×10^7초일 때 상승 시간 변동률은 4.09%에 불과하여 기존 의사 CMOS 인버터의 296.11%보다 훨씬 낮았습니다.

인버터;박막 트랜지스터;안정성;비정질 인듐 갈륨 아연 산화물;글라스 온 시스템