광제어 정렬 기술은 액정 광학 장치 제조에서 항상 중요한 단계였습니다. 광제어 정렬 기술에서 앵커링 강도와 노출 조건 간의 관계를 정확하게 측정하는 것은 장치 성능 향상에 매우 중요합니다. 그러나 현재 앵커링 강도 측정 방법에는 동일 정렬막에서 단일 지점의 여러 상태를 전후로 측정하지 못하는 등 일정한 한계가 존재하여 실제 응용에 많은 불편을 초래하고 있습니다. 이에 본 논문은 위상 검출 원리를 기반으로 한 새로운 방위 앵커링 에너지 측정 방법을 제안합니다. 미분 정규화 적합 방법과 전방위 투과 특성 보정을 결합하여 초기 배치 오차를 효과적으로 제거하였으며, 이는 측정 과정을 크게 최적화하고 측정 오차를 8% 이내로 제어함과 동시에 측정 효율성을 크게 향상시켰습니다. 이론 및 실험 결과는 이 방법이 노출 매개변수 변화에 따른 광제어 정렬막의 앵커링 에너지를 빠르고 효과적으로 측정할 수 있음을 보여주며, 높은 정확도와 안정성을 가지며 액정 광학 부품의 정밀 제조 공정에서 실시간 온라인 모니터링 수단을 제공하여 광제어 정렬 물리적 과정 이해 및 제조 품질 향상에 매우 중요함을 입증합니다.

액정; 방위 앵커링 에너지; 비틀림 각; 광제어 정렬 기술