금속 산화물 반도체(MOS) 기반 박막 트랜지스터(TFT)는 높은 전계 효과 이동도(μ_FE), 극히 낮은 차단 누설 전류 및 넓은 면적에 걸친 전기적 균일성 등의 특징으로 평면 디스플레이 또는 플렉시블 디스플레이 산업 발전을 촉진하는 핵심 기술이 되었다. 30년 이상의 연구 끝에 비정질 인듐 갈륨 아연 산화물(a-IGZO)은 TFT에서 비정질 실리콘(a-Si)을 선도적으로 대체하였다. 그러나 디스플레이 산업의 생산성 향상, 향상된 디스플레이 성능(고해상도, 고주사율 등) 및 저전력 소모 등 다양한 업그레이드 요구를 동시에 충족하기 위해서는 더 높은 이동도의 MOS TFT 기술이 필요하다. 본 논문은 고체물리학 관점에서 다중 MOS 재료를 통한 MOS TFT의 고이동도 특성 연구 진행 상황을 체계적으로 정리하고 이동도와 소자의 안정성 간의 관계를 논의한다. 마지막으로 MOS TFT의 현황과 발전 동향을 요약 전망한다.

금속 산화물 반도체;박막 트랜지스터;전계 효과 이동도;바이어스 안정성