박막 트랜지스터의 성능 향상을 위해 본 논문에서는 RF 마그네트론 스퍼터링 기술을 기반으로 아연 주석 산화물(ZTO) 재료를 채널 층으로 사용하여 SiO₂/p-Si 기판 위에 고성능 ZTO 박막 트랜지스터를 제작하였다. AFM, XRD, UV-Vis를 통해 스퍼터링 전력에 따른 ZTO 박막의 표면 형태 및 광학적 특성 변화를 연구하였다. 반도체 파라미터 분석기를 이용해 ZTO 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 측정하고, XPS 분석을 통해 스퍼터링 전력이 ZTO 박막 내 원소 조성 및 산화 상태에 미치는 영향을 연구하여 고성능 박막 트랜지스터의 원리 메커니즘을 탐구하였다. 실험 결과 모든 ZTO 박막 시료가 비정질 구조이며 표면이 치밀하고 투과율은 90% 이상임을 확인하였다. 적절한 스퍼터링 전력 증가는 ZTO 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 90 W 스퍼터링 전력에서 제조된 박막 트랜지스터는 포화 이동도가 15.61 cm²/(V·s), 아임계 스윙이 0.30 V/decade, 문턱 전압이 -5.06 V, 전류 스위치 비가 8.92×10⁹로 우수한 종합 성능을 보였다.

박막 트랜지스터; 스퍼터링 전력; XPS 분석; ZTO 박막