전통 디스플레이의 강력한 경쟁자 중 하나로서 양자점 발광 다이오드(QLED)는 디스플레이 분야에서 많은 관심을 받고 있다. 하지만 고성능 청색 QLED 소자의 발광 재료에는 일반적으로 카드뮴 또는 납이 포함되어 있는데, 이 두 가지 중금속 유해 요소는 인체 건강과 생태 환경에 나쁜 영향을 미치며 QLED 소자의 대규모 상용화를 저해하고 있다. 따라서 고품질 카드뮴 및 납 무함유 청색 양자점 소재의 개발은 신형 디스플레이 산업 발전을 추진하는 동력이자 업계가 절실히 추구하는 목표가 되었다. 수십 년간의 발전을 거쳐 InP 및 ZnSe 등 카드뮴 및 납 무함유 양자점 소재의 청색 발광 성능은 큰 진전을 이루었으며, 합성 전략 및 청색 재료의 추가 최적화와 개선으로 친환경 청색 양자점 발광 다이오드 소자의 성능은 전통적인 적·녹색 양자점 소자의 수준에 근접할 것으로 기대된다. 본 논문은 합성 최적화 방법, 표면 코팅 전략, 핵-껍질 구조 유형, 발광 성능 매개변수 등의 측면에서 카드뮴 및 납 무함유 청색 InP 및 ZnSe 양자점 소재 연구 진척 상황을 체계적으로 요약하고, QLED 청색 재료의 향후 발전 방향을 제시한다.

양자점 발광 다이오드; 청색 양자점; 전기 발광; ZnSe; InP