摘要
디스플레이 기술의 지속적인 발전과 함께 고성능, 고안정성의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)에 대한 수요가 증가하고 있으며, 박막 트랜지스터 성능을 개선하기 위한 결정화 방법이 많은 관심을 받고 있다. 현재 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO) 재료는 높은 이동도, 우수한 유연성, 높은 투명도 등의 장점으로 인해 박막 트랜지스터 채널에 널리 사용되고 있으며, IGZO 채널층의 결정 형태 개선 또한 연구의 주요 관심사가 되고 있다. 본 논문에서는 결정질 IGZO 박막 트랜지스터 소자의 연구 진행 상황을 정리하고, IGZO 계 화합물의 결정 구조를 자세히 설명하며, 단결정, c 축 지향 결정화, 육방 다결정형, 스피넬형, 나노결정형 및 원생 결정형 IGZO의 구조와 각 결정질 IGZO 박막 트랜지스터의 제조 방법, 소자 성능 및 안정성에 대해 중점적으로 서술하였다. 미세 구조를 깊이 분석하고 물리적 특성을 정리하며, 다양한 결정계 구조의 결정화 메커니즘을 설명하고, 서로 다른 결정 구조와 전기적 특성 간의 관계를 구축하였으며, 마지막으로 결정질 IGZO 박막 트랜지스터의 발전 전망을 제시하였다.
关键词
결정질 IGZO; 박막 트랜지스터; 결정 구조; 연구 진행
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