摘要
신세대 전자 기술의 급속한 발전에 대응하기 위해 다양한 신형 메모리 개발이 점점 중요해지고 있습니다. 기존 메모리와 비교하여 신세대 메모리는 더 높은 성능의 기억 특성뿐만 아니라 유연성, 투명성 또는 신경 형태 기능과 같은 특정 응용 요구를 충족해야 합니다. 본 논문에서는 유기 반도체 재료 C8-BTBT를 반도체 층으로 사용하고 PVP 양자점을 혼합하여 플로팅 게이트로 한 유기 투명 메모리(투명도 ≥83%)를 제안합니다. 장치는 40V 이상의 저장 윈도우, 103 이상의 쓰기/삭제 전류 비율을 가지며 104초 후에도 안정적으로 스위칭 상태를 구분할 수 있습니다. 본 연구는 투명 유연 장치에 새로운 해결책을 제공하며 차세대 투명 유기 전자 분야에서 잠재력을 시사합니다.
关键词
유기 박막 트랜지스터; 메모리; 투명 장치; 양자점; 플로팅 게이트
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website