미세 질화 갈륨(GaN) 발광 다이오드(LED) 제조 기술의 지속적인 발전과 함께 Micro-LED 디스플레이는 차세대 디스플레이 기술로 자리 잡아 근접 시야 디스플레이, 대형 고해상도 디스플레이 장치, 플렉시블 스크린 등 다양한 분야에서 두각을 나타낼 전망입니다. Micro-LED 디스플레이의 여러 기술 단계 중에서 웨이퍼 수준의 Micro-LED 칩 검사는 불량 점 차단, 디스플레이의 양품률 향상 및 전체 기기 제조 비용 절감에 중요한 단계입니다. 대량(백만 단위), 소형(<50 μm) 웨이퍼 수준 Micro-LED 칩 배열에 대해 기존의 전기적 검사 방법은 검사 효율이 낮고 비용이 높은 단점이 있습니다. 따라서 검사 효율 향상, 정확도 제고 및 비용 절감은 웨이퍼 수준 Micro-LED 검사 기술의 발전 방향입니다. 본 논문에서는 먼저 웨이퍼 수준 Micro-LED 칩 검사에 필요한 검사 지표를 소개하고, 이어 기존 또는 제안된 검사 방법을 상세히 설명 및 분석하며, 마지막으로 웨이퍼 수준 Micro-LED 칩 검사 기술을 요약하고 미래 기술 발전 방향을 전망합니다.

Micro-LED;결함 검사;접촉식 검사;비접촉식 검사