이 논문에서는 폴리비닐 알코올(PVA) 기판 박막 트랜지스터(TFT)의 장치 제작, 전기적 특성 분석 및 장치 용해 특성 시연에 대해 소개한다. 이 장치는 고유전율 소재인 하프늄 산화물(HfO₂)을 절연층으로 사용하고, 알루미늄 도핑 아연 산화물(AZO)을 활성층으로, 알루미늄을 게이트, 소스 및 드레인으로 사용한다. 저온 자기장 스퍼터링(PVD)법을 사용하여 PVA 기판 위에 고유전율(고k) 절연층을 갖는 박막 트랜지스터를 성공적으로 제작했으며, 장치의 절연층 구조를 추가로 최적화하였다: 절연층으로 하프늄 산화물(HfO₂)과 알루미늄 산화물(Al₂O₃) 적층 구조를 활용하였다. 결과는 단일층 하프늄 산화물 절연층의 TFT 구조에 비해 적층 구조 절연층의 TFT 장치가 누설 전류가 더 낮고, 스위칭 비율이 더 높으며, 아랫문턱 기울기가 더 낮아 폴리비닐 알코올 기판 박막 트랜지스터의 절연층으로 더 적합함을 보여준다. “샌드위치” 적층 구조 절연층 장치의 켜기/끄기 비율은 2.5×10⁶에 달하며, 문턱 전압은 10.6V, 아랫문턱 기울기는 0.53 V·dec^-1, 캐리어 이동도는 3.01 cm²·V^-1·s^-1이다.

박막 트랜지스터;순간 전자공학;폴리비닐 알코올 (PVA);용해 가능;적층 구조 절연층