유연한 박막 트랜지스터의 전기적 성능을 효과적으로 향상시키기 위해 실온 조건에서 폴리이미드(PI) 기판 위에 두 가지 높은 유전 상수를 가지는 재료를 결합한 적층 구조를 단일 Ta2O5 층 대신 게이트 절연체로 사용하였다(HfO2 및 Ta2O5). 박막은 마그네트론 스퍼터링법으로 제작되었으며, 적층 게이트 절연체 구조에서 Ta2O5 층이 스퍼터링 시간 및 산소-아르곤 비율 조건에 따라 장치 전기적 성능에 미치는 영향을 연구했다. 또한 적층 게이트 절연체 장치(HfO2/Ta2O5)와 단일 Ta2O5 게이트 절연체 장치의 비교도 수행되었다. 결과는 1시간 스퍼터링 시간과 10:90 산소-아르곤 비율일 때 Ta2O5 절연층이 최적의 전기 성능을 나타냄을 보여주었다. 적층 게이트 절연체 구조 도입으로 장치의 전기적 성능이 크게 향상되었으며, 전류 스위칭 비율은 1.27×10^6, 임계 전압은 9.1 V, 서브스레숄드 스윙은 0.54 V/decade, 캐리어 이동도는 7.03 cm²/(V·s)이다.

PI;적층 게이트 절연체;마그네트론 스퍼터링;스퍼터링 시간;산소-아르곤 비율