높은 양자 효율을 갖는 실리콘 기반 광원을 얻기 위해 나노초 펄스 레이저를 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로미터 크기의 원형 구멍 구조 배열을 제작하고, 고온 어닐링 처리 후 시료의 성능 변화를 연구하였다. 공동 내에 형성된 양자점은 약 710nm 파장 부근에서 강한 광발광 피크를 나타낸다. 시료를 1000℃에서 고온 어닐링 처리하였으며, 어닐링 시간을 제어하여 어닐링 전후의 광여기 파워 변화에 따른 광발광 스펙트럼을 비교 분석하였다. 또한 어닐링 20분 후 공동 내 다양한 위치에서 광발광 세기 차이를 측정하였고, 공동 가장자리에서 광발광이 가장 강한 것을 발견했는데, 이는 가장자리에 많은 양자점 발광이 분포한 것과 관련 있을 수 있다. 마지막으로 표준 LED 보정 방법을 사용하여 공동 내 최대 외부 광양자 효율(PL-EQE)을 측정하였다. 측정 결과 어닐링 후 공동 내 외부 양자 효율이 9.29%에 달함을 확인하였다.

실리콘 양자점;광발광;고온 어닐링;외부 양자 효율