本研究は、新型低水分インジウムスズ酸化物（W-ITO）ターゲットと従来のインジウムスズ酸化物（N-ITO）ターゲットの材料特性、薄膜性能、およびディスプレイデバイスにおける応用性能を体系的に比較した。材料構造の解析により、W-ITOは0.10 at.%の微量金属元素を導入して酸素空孔を補償し、アニール時の水誘発汚染粒子の問題を抑制していることが示された。また、スパッタリング困難な二次相粒子の直径（2.02 μm）と面積比率（16.80%）がN-ITOを大幅に下回り、電弧現象の発生を根本的に減少させている。マグネトロンスパッタ成膜後の薄膜性能では、W-ITOは優れた平均シート抵抗、良好な抵抗率安定性、高結晶性および高透過率を示し、湿式エッチングにおいてはより速いエッチング速度、より清浄な表面、より小さいドリリングが得られ、高精度パターンの作製に有利である。薄膜トランジスタ（TFT）デバイスへの応用では、W-ITO電極を基盤としたデバイスが標準的な電気特性を示し、滑らかでねじれのないトランスファーカーブにより電極/活性層界面の高品質が間接的に証明された。さらに、ガラスパネルへの一体化封止後、完成品は光学コントラスト、ガンマ曲線、画像残像、静電気放電耐性および消費電力において優れた性能を示し、W-ITO電極がディスプレイパネルの総合性能と信頼性の向上に寄与することが検証された。最終的に量産データにより、W-ITOターゲットを用いることで初回ITO蒸着ロットの歩留まり（約0.14%）が著しく向上し、二次蒸着欠陥修理率（約0.37%）が低減され、設備の保守周期が効果的に延長されることが示され、顕著な経済効果をもたらした。本研究は高信頼性かつ高性能なITO材料の選定と量産プロセス最適化に対し、体系的な理論的支援および実験的根拠を提供する。

酸化インジウムスズ;マグネトロンスパッタ;薄膜トランジスタ;ガラスパネル;歩留まり