TFE中のSiON薄膜変化に基づくOLEDパンチホールスクリーン孔部虹模様現象

CAI Hankun ,  

YANG Jinjin ,  

LI Zuobin ,  

TU Qiumei ,  

ZHANG Guofeng ,  

摘要

近年、スマートフォンの薄型化の進展および信頼性要求の向上に伴い、OLED(有機発光ダイオード)画面の孔部に虹模様現象が発生する割合が一定程度増加している。本稿では、OLED画面の孔部に虹模様現象が発生する原因を定性・定量的に分析し、これに基づき、結果を相互に交差検証できる比較的完備した多次元分析試験方法を構築した。薄膜封止(Thin Film Encapsulation、TFE)膜層構成成分のさらなる最適化により、信頼性試験後に孔部の虹模様に関連する暗斑リスクを最大限に低減できる。破片を用いて、高温高湿試験条件下で孔部に虹模様が発生する領域および位置を分析し、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope、TEM)、飛行時間二次イオン質量分析(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry、TOF-SIMS)、およびX線光電子分光(X-ray Photoelectron Spectroscopy、XPS)による系統的分析を行った。実験結果より、CVD1(Chemical Vapor Deposition 1)中のSiONは高温高湿条件下で徐々にSiO膜層に転換することが示された。TEMおよびTOF-SIMSの結果は、酸化後の膜の窒素含有量が2%未満であることを示し、XPSピーク分解の結果は、CVD1-2表面のSiONがほぼ完全にSiO膜層に変換されていることを示した。TFEのCVD1-1中のSiON膜層の屈折率を1.72から1.76に向上させることにより、CVD1-1のSiON膜層の酸化深さは70%低減された。本分析方法の構築は、孔部CVD膜層の酸化によって生成したSiOが虹模様現象の原因であることを説明するだけでなく、虹模様領域がOLEDパネルの孔部信頼性に与える影響を提示した。本方策は、車載、IT(情報技術)、広告など、より高い信頼性要求のある分野におけるOLEDディスプレイの将来の応用に対する対応策を提供する。

关键词

虹模様現象;OLEDパンチホールスクリーン;薄膜封止;窒化シリコン;酸化シリコン

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