量子ドット発光ダイオード（QLED）は、その優れた光電特性から次世代のディスプレイおよび照明技術の有力な候補とされています。しかしながら、青色QLEDは性能面で緑色および赤色デバイスに比べて依然として大きく劣っており、QLED全カラー表示技術の商業化を著しく制約しています。一方で、青色量子ドットの価電子帯の深いエネルギーレベルはホール輸送層との間に高いホール注入障壁を形成し、表面の長鎖オレイン酸リガンドはキャリア輸送に不利です。もう一方で、青色量子ドットの核と殻材料間のエネルギーレベル差が小さいため、キャリアが表面欠陥状態と容易に結合し、非放射再結合を引き起こし、デバイス効率を低下させます。本研究では多機能リガンドの塩酸ベンジルヒドロキサミン（BHACl）を用いて青色量子ドット表面を修飾しました。BHAClは従来の長鎖オレイン酸リガンドを置換し、量子ドット薄膜中のキャリア輸送性能を向上させました。その分子内のNH³⁺基は表面の硫黄の遊離結合を鈍化させ、非放射再結合を抑制します。BHAClの大きな双極子モーメントにより量子ドットのエネルギーレベルが全体的に上昇し、ホール注入効率を高めました。これにより、作製した青色QLEDデバイスは外部量子効率（EQE）19.2％、ピーク輝度28,237 cd·m^-2、初期輝度100 cd·m^-2におけるデバイス寿命8,986時間を達成し、すべての性能が対照デバイスを大きく上回りました。

量子ドット発光ダイオード;多機能リガンド;キャリア輸送;外部量子効率