量子ドット発光ダイオード（QLED）は、高い色純度、高い発光効率、優れた安定性、溶液加工性、全色調整可能性、既存の技術との良好な互換性により、次世代の高解像度・低消費電力ディスプレイデバイスの有力な候補と考えられている。量子ドットのパターニングの実現は表示応用の前提条件であり、さまざまなフォトリソグラフィ技術が登場した。現在、QLEDのパターニング技術は、従来のフォトリソグラフィやインクジェット印刷など複雑なプロセスで性能に損傷を与える方法から、高解像度で損傷のない直接露光技術へと進化している。本稿では、量子ドット直接露光技術の基本原理を概説し、3種類の感光基（アジド系、アゾ系、ジスルフィド系）の架橋メカニズム、フォトリソグラフィ性能およびQLED性能への影響を重点的に議論した。さらに、将来の量子ドット直接露光技術の発展動向およびQLEDディスプレイの発展方向を予測し、将来のパターニングQLEDディスプレイ技術の発展に一定の参考を提供する。

量子ドット;直接露光;パターニング;QLED;フォトリソグラフィ架橋剤