摘要
低温多結晶酸化物（Low Temperature Polycrystalline Oxide、LTPO）半導体ハイブリッド集積表示技術は、低温多結晶シリコン（LTPS）と金属酸化物半導体（MOS）を統合した新しい集積表示技術であり、高性能かつ低消費電力の表示ソリューションの実現を目指している。LTPOの集積プロセスにおいて、低温多結晶シリコン層から金属酸化物層への水素の拡散が生じ、デバイスのしきい値電圧のシフトや安定性の悪化を引き起こし、表示製品の性能に影響を与える。本稿では、LTPSおよびMOSデバイスにおける水素の存在の違いと水素がMOSデバイスに与える影響を詳細に検討し、MOSデバイスの二つの水素バリア方法：異なる誘電体層の使用、イオンドーピングプロセスをまとめた。また、LTPOデバイスの水素バリア方法についても整理し、LTPOデバイスの安定性と信頼性の向上を図った。最後に、水素バリアによる高性能表示分野でのLTPO技術のより広範な応用展望について述べた。
关键词
低温多結晶酸化物;金属酸化物;低温多結晶シリコン;薄膜トランジスタ;水素拡散
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