亜波長金属グレーティングを集積したAlGaInP系赤色Micro-LED線偏光光放射

WANG Yawei ,  

ZHENG Kaifeng ,  

LÜ Jinguang ,  

GUO Guangtong ,  

MA Siyao ,  

CHEN Yupeng ,  

ZHAO Baixuan ,  

ZHAO Yingze ,  

NIE Haitao ,  

QIN Yuxin ,  

LI Bin ,  

WANG Weibiao ,  

LIANG Jingqiu ,  

摘要

Micro-LED表示技術は、高輝度、高解像度、高コントラストなどの利点から、次世代の最も有望な表示技術と考えられている。3D表示、医療検査、情報暗号化、可視光通信、高効率液晶バックライト表示、偏光顕微鏡、およびセンサーなどの技術の発展と応用により、Micro-LEDには高消光比の偏光光出力という新たな要件が生じている。微小な線偏光出力の赤色Micro-LEDデバイス設計を実現するために、本研究ではAlGaInP系赤色Micro-LEDの表面に亜波長金属グレーティングを集積し、時域有限差分法を用いて金属グレーティングの理論解析および構造最適化を行った。結果は、グレーティングパラメータと誘電体層の厚さを調整・最適化することで、チップサイズ50 μmの赤色Micro-LEDの消光比が26 dBに達し、高消光比の線偏光光出力を実現したことを示した。本研究で設計したAlGaInP系線偏光Micro-LEDは、3D Micro-LED表示分野で良好な応用可能性を有している。

关键词

発光ダイオード;偏光;金属グレーティング;時域有限差分法

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website