液晶は光学メモリ分野において低コスト、大面積、高速度、高密度記憶などの利点があります。現在、液晶光学メモリ技術は初期の科学的探求から商業化の見込みを持つ先端技術へと発展しています。本稿では、二硫化モリブデン（MoS₂）ナノシートを向列液晶にドープした際の光学メモリ挙動への影響を主に研究しました。実験結果は、MoS₂ナノシートが液晶系内で凝集するものの、外部電場の作用でMoS₂ナノシートが電場方向に整列し、それによって混合系の外部電場応答が加速されることを示しています。この過程は閾値電圧のわずかな低下ももたらし、MoS₂ナノシートをドープした液晶混合系の光学メモリ挙動の制御可能なリフレッシュに寄与しています。5Vの外部印加電圧下で、ドープ質量分率0.1％の2μm-MoS₂ナノシートを用いた液晶混合系の光学メモリリフレッシュ時間は94.0秒に短縮されました。以上の結果は、MoS₂ナノシートのドープが液晶混合系の光学メモリ挙動を効果的に調整する重要な手法の一つであることを示しています。

光学メモリ挙動; 二硫化モリブデンナノシート; 液晶