非キラルβ-メチルブチル多連芳香族異チオシアネート液晶の合成および高周波誘電特性

TU Youlan ,  

ZHANG Lei ,  

LEI Menglong ,  

WU Shengli ,  

LIU Haohao ,  

ZHANG Zhiyong ,  

CHEN Hongmei ,  

WANG Xiangru ,  

摘要

本論文では、非キラルなDL-(±)-2-メチル-1-ブタノールと臭素ベンゼンを原料とし、Appel反応、グリニャール結合反応、スズキ結合反応などの多様な合成法を用いて、6種類の新規非キラルβ-メチルブチル多連芳香族異チオシアネート液晶化合物A1~A6を設計合成し、その分子構造、相状態およびマイクロ波誘電特性を試験・分析した。結果は、三連芳香族化合物A1~A3の融点はフッ素原子数の増加に伴い徐々に低下し、A3は最も低い融点の37 ℃であり、ニマチック相の温度範囲は71 ℃に達した。フッ素原子の数と置換位置が同じ場合、β-メチルブチル化合物の融点は正ブチル化合物よりも低かった。四連芳香族の側鎖置換基が変化すると、—F置換化合物A4の融点が最も低く、次いで—CH₃置換化合物A6、その後—Cl置換化合物A5が最も高く、3種ともニマチック相の温度範囲は120 ℃を超えた。周波数9~30 GHzでは、化合物A2~A6は良好な誘電特性を示し、誘電異方性はすべて0.903以上であり、最大誘電損失は0.0033~0.0107の範囲で、特に化合物A6は19 GHzで最大誘電損失0.0038、品質因数66.12を示した。異なる置換基は最大(垂直)誘電損失の低減への寄与度が異なり、—CH₃>—Cl>—F、誘電異方性(Δε_r)の向上への寄与は—F>—Cl>—CH₃であった。

关键词

マイクロ波用液晶;誘電損失;β-メチルブチル多連芳香族;フッ素置換;合成

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