薄膜トランジスタ（TFT）インバータの安定性問題は、ガラスオンシステム（SOG）ディスプレイ技術などの分野での実用化に影響を与える重要な課題です。本稿では、実験データに基づき、非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物TFTデバイスのシミュレーションモデルを抽出し、閾値電圧変化量（ΔV_TH）と電圧バイアス時間のストレッチ指数方程式をフィッティングしました。これに基づき、従来の擬似CMOSインバータの電気的安定性のバイアス時間変化規則を探究し、改良型TFTインバータ回路を提案、トランジスタ幅の調整と物理レイアウトを設計しました。改良型インバータは、出力段プルダウントランジスタのオン遅延により出力高レベル値を電源電圧に近づけ18.47%増加させました。フィードバックにより閾値電圧ドリフトによる等価抵抗の増加が出力段電流に与える影響を緩和し、速度安定性を大幅に向上させました。電圧バイアス時間が2.56×10^7秒のとき、立ち上がり時間の変化率は4.09%にとどまり、従来の擬似CMOSインバータの296.11%を大きく下回りました。

インバータ;薄膜トランジスタ;安定性;非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物;ガラスオンシステム