現在、マイクロ波位相シフタ用の液晶材料は主に高い二色性を持つポリフェニレン系やポリフェニルアセチレン系の液晶化合物が主成分として用いられているが、これらの液晶化合物は使用時に粘度が高いこと、比較的高い誘電損失や光熱安定性が低いといった欠点が避けられない。トランスシクロヘキシル（三）フェニル系液晶化合物は比較的低い粘度と高い熱安定性を備え、表示装置に広く使用されているが、マイクロ波誘電特性に関する研究報告は少ない。本稿では、6種類のイソチオシアネートトランスシクロヘキシルビフェニルおよびトリフェニル系液晶化合物を選択的に合成し、それらの相状態およびマイクロ波（10～30 GHz）誘電特性を測定した。密度汎関数理論（DFT）を用いて分子モデリングにより双極子モーメントおよび分極率を計算し、関連構造のポリフェニレン系液晶化合物の性能と比較することで、トランスシクロヘキシル構造が液晶分子のマイクロ波誘電特性に与える影響を検討した。実験結果は、イソチオシアネートトランスシクロヘキシル（三）フェニル系液晶化合物が、融点が比較的低く（<90 ℃）、幅広いネマティック相温度範囲（86～160 ℃）を持ち、10～30 GHzにおいて誘電損失が低い（≤7.25×10^-3）ため、マイクロ波の品質係数が比較的高い（η≥30）ということを示し、マイクロ波用液晶材料の有効な構成要素として適していることを明らかにした。

トランスシクロヘキシル（三）フェニル; マイクロ波用液晶; 低誘電損失; 広温度範囲ネマティック相; 合成