全溶液プロセスに基づく量子ドット発光ダイオード（QLEDs）は、一般的に電子と正孔の注入バランスが崩れる問題があり、青色QLEDデバイスの性能向上を著しく制限しています。本論文では、異なる濃度の金属ハライド（LiCl）ドーピングがポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）∶ポリスチレンスルホン酸塩（PEDOT∶PSS）薄膜の形態、導電性、透光性及び製造したQLEDデバイスの性能に与える影響を調査しました。実験結果は、LiClのドーピング濃度（質量百分率）が2％のときに青色QLEDデバイスの性能向上効果が最も良好であり、これは主にLiClドーピング後のPEDOT∶PSS薄膜の導電率と透光性の向上およびデバイス中の正孔注入効率の改善に起因すると示しています。未ドーピングのPEDOT∶PSS基QLEDデバイスと比較して、LiClドーピング青色QLEDデバイスの最大輝度、ピーク電流効率、ピーク光出力効率及びピーク外部量子効率はそれぞれ5,083 cd·m^-2、0.91 cd·A^-1、0.59 lm·W^-1、2.31％から7,451 cd·m^-2、1.38 cd·A^-1、0.89 lm·W^-1、3.51％に向上しました。結果は、LiClドーピングPEDOT∶PSSホール注入層の採用が青色QLED性能向上の有効な戦略であることを示しています。

青色量子ドット発光ダイオード; PEDOT∶PSS; LiClドーピング; ホール注入層; ホール注入