摘要
金属酸化物半導体（MOS）を用いた薄膜トランジスタ（TFT）は、高い電界効果移動度（μ FE）、極めて低いオフ時のリーク電流、大面積にわたる電気的均一性などの特徴により、フラットパネルディスプレイやフレキシブルディスプレイ産業の発展を促進する重要技術となっている。30年以上の研究を経て、非晶質インジウムガリウム亜鉛酸化物（a-IGZO）がTFTにおいて非晶質シリコン（a-Si）に先駆けて採用された。しかし、表示産業がより高い生産効率、優れた表示性能（高解像度、高リフレッシュレートなど）、および低消費電力を同時に達成するためには、より高い移動度を有するMOS TFT技術が必要である。本稿では、固体物理学の観点から、多元MOS材料によって高移動度特性を実現したMOS TFTの研究進展を体系的に概説し、移動度とデバイスの安定性との関係について議論する。最後に、MOS TFTの現状と今後の展望をまとめる。
关键词
金属酸化物半導体;薄膜トランジスタ;電界効果移動度;バイアス安定性
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