アゾベンゼンスルホン酸SD1は液晶光配向材料として強いアンカリングと再配向可能などの利点を持つ。本論文では、405 nm線偏光照射下でのアゾベンゼンスルホン酸光配向材料SD1薄膜の光配向繰り返し書き込み性能を研究した。研究の結果、線偏光によるSD1膜の繰り返し消去・露光過程で、消去回数の増加に伴い膜の飽和配向度が持続的に低下することが分かった。200回の繰り返し消去後（累積エネルギー密度1200 J/cm²）、飽和配向度（S）は0.78から0.3に低下し、配向速度は0.39 s⁻¹から0.08 s⁻¹に低下した。繰り返し配向過程におけるSD1膜の紫外可視（UV-Vis）吸収スペクトルをリアルタイムでモニタリングしたところ、単一配向過程ではSD1膜のUV-Vis吸収スペクトルのピーク吸光度が最初に急速に低下し、その後緩やかに回復して飽和に達し、全体として吸収が減少する傾向を示した。200回の再配向後、吸光度は0.10から0.03に低下した。これは再配向過程で膜内の面内トランスSD1分子数が徐々に減少し、配向能力が低下するため、再書き込み回数が制限されることを示している。照射光を停止した後、膜内の面内分子数は一定程度回復した。まとめると、SD1薄膜は線偏光による繰り返し消去過程で面内分子数が持続的に減少し、その面内分子数が配向能力に直接影響するため、この部分的に可逆的な面内分子数の変化がSD1の繰り返し配向能力を制限している。

アゾベンゼンスルホン酸;SD1;光配向