ディスプレイ技術の絶え間ない発展に伴い、高性能で高い安定性を持つ薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、TFT）の需要が増加しています。結晶化によって薄膜トランジスタの性能を改善する方法が多く注目されています。現在、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（IGZO）材料は、高い移動度、優れた柔軟性、高い透明度などの利点により、薄膜トランジスタのチャネルに広く使用されています。IGZOチャネル層の結晶形態の改善も研究の重要なテーマとなっています。本稿では、結晶質IGZO薄膜トランジスタ素子の研究進展をまとめ、IGZO系化合物の結晶構造を詳細に紹介し、単結晶、c軸配向結晶、六方多結晶型、スピネル型、ナノ結晶型および原生結晶型IGZOの構造と各結晶質IGZO薄膜トランジスタの作製方法、素子性能および安定性について重点的に述べています。微細構造を深入り解析し、物理的特性を総括し、異なる結晶系構造の結晶化メカニズムを説明し、異なる結晶構造と電気的特性の関係を確立し、最後に結晶質IGZO薄膜トランジスタの発展展望を述べています。

結晶質IGZO; 薄膜トランジスタ; 結晶構造; 研究進展