摘要
新世代電子技術の急速な発展に適応するため、さまざまな新型メモリの開発がますます重要になっています。従来のメモリと比較して、新世代のメモリはより高性能な記憶特性が求められるだけでなく、柔軟性、透明性、あるいは神経形態機能などの特定の用途要求も満たす必要があります。本論文では、半導体層として有機半導体材料のC8-BTBTを使用し、PVP量子ドットの混合を浮遊ゲートとして用いた有機透明メモリ（透明度≥83％）を提案します。デバイスは40Vを超える記憶ウィンドウ、103を超える書き込み/消去電流比を持ち、104s後も安定してスイッチ状態を識別できます。本研究は透明フレキシブルデバイスに新たな解決策を提供し、次世代透明有機エレクトロニクス分野における可能性を示唆します。
关键词
有機薄膜トランジスタ;メモリ;透明デバイス;量子ドット;フローティングゲート
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