微小な窒化ガリウム（GaN）発光ダイオード（LED）の製造技術の不断の進歩により、Micro-LEDディスプレイは次世代の表示技術として期待され、近接視ディスプレイ、大型高精細表示装置、フレキシブルスクリーンなどの分野で活躍しています。Micro-LEDディスプレイの多くの技術的な工程の中で、ウェーハレベルのMicro-LEDチップ検査は、不良点の遮断、表示パネルの良品率の向上、全体的な製造コスト削減を実現するための重要なプロセスです。大量（百万単位）、小型（<50 μm）のウェーハレベルMicro-LEDチップアレイに対して、既存の電気的検査方法は検査効率が低く、コストが高いという課題があります。したがって、検査効率の向上、検査精度の向上、および検査コストの低減がウェーハレベルMicro-LED検査技術の発展方向です。本稿ではまずウェーハレベルMicro-LEDチップ検査のために必要な検査指標を紹介し、次に既存または提案されている検査手法を詳細に紹介・分析し、最後にウェーハレベルMicro-LEDチップ検査技術を総括し、将来の技術発展方向を展望します。

Micro-LED;欠陥検出;接触検査;非接触検査