完全無機性のCsPbX₃（X = Cl、Br、I）ペロブスカイト量子ドットは優れた発光性能を持ち、新しい有望なディスプレイ材料およびレーザー増幅媒体です。本論文では、発光ピークが640 nmに位置するCsPbBr_1.2I_1.8赤色量子ドットを調製し、この量子ドット薄膜表面にそれぞれ異なる官能基を持つポリマー、メチルメタクリレート（PMMA）、イソブチルメタクリレート（PIBMA）、ポリスチレン（PS）を被覆し、CsPbBr_1.2I_1.8/PMMA、CsPbBr_1.2I_1.8/PIBMA、CsPbBr_1.2I_1.8/PS複合薄膜を作製し、それらの増幅自発放射特性を研究しました。結果は、ポリマーのパッシベーションが一方で量子ドットの水安定性を向上させ、他方でPMMAとPIBMA中の酸素が量子ドット表面の未配位Pb²⁺をパッシベートし、量子ドット薄膜の光励起蛍光強度を強化することを示しました。さらに、532 nmのナノ秒レーザーポンピング下で、CsPbBr_1.2I_1.8/PIBMA薄膜の増幅自発放射閾値は81‍‍‍‍ ‍µJ·cm^-2まで低下し、安定性も向上し、新しい増幅媒体としての可能性を示しました。

ペロブスカイト量子ドット;ポリマーパッシベーション;増幅自発放射;安定性